🔥Ejercicios resueltos de Transistores MOSFET en cd - ejercicio resuelto 1

La Fuente

26 May 202007:17

Summary

TLDREste vídeo presenta un diseño de circuito con un transistor MOSFET para operar a una corriente de 0.4 mA y un voltaje de 1 V. Se explica cómo calcular los valores de resistencia y voltaje desconocidos, identificando que el transistor funciona en la zona de saturación. Se resalta la importancia de la tensión de puerta y el efecto de modulación de la longitud del canal, proporcionando una guía paso a paso para entender y diseñar el circuito MOSFET.

Takeaways

😀 El vídeo trata sobre el diseño de un circuito con un transistor MOSFET.
🔬 Se especifica que el transistor debe operar con una corriente de 0.4 mA y un voltaje de dren de 1V.
📏 El transistor es de tipo NMOS, con una tensión umbral (Vth) de 2V.
⚖️ El parámetro 'μnCox' es de 20 microAmperes por voltio cuadrado, con un largo de canal de 10 micrómetros y un ancho de 400 micrómetros.
🛠️ Lambda (λ), que representa el efecto de modulación de la longitud del canal, es 0 para este transistor.
🔋 Se tiene un voltaje de fuente (Vdd) de 5V y un voltaje de compuerta (Vgs) de 0V, ya que está conectado a tierra.
🧮 Se calcula la resistencia de fuente (Rd) como 10 kiloohmios usando la ley de Ohm y los datos proporcionados.
🔍 Se determina que el transistor opera en la zona de saturación, ya que Vds es mayor o igual a Vgs - Vth.
🔢 Se resuelven dos posibles valores para Vgs, siendo el correcto el que permite la existencia de corriente de dren (0.4 mA).
🔌 Se calcula la resistencia de fuente (Rs) como 5 kiloohmios utilizando la corriente y el voltaje dados.

Q & A

¿Qué tipo de circuito se discute en el vídeo?
-El vídeo trata sobre circuitos de corriente directa (DC) utilizando transistores MOSFET.
¿Cuál es la corriente deseada que debe manejar el transistor MOSFET en el diseño del circuito?
-El transistor MOSFET debe manejar una corriente de 0.4 mA.
¿Cuál es el voltaje de dren (Vds) especificado para el transistor en el ejercicio?
-El voltaje de dren (Vds) especificado es de 1 voltio.
¿Cuál es el valor de la tensión de puerta umbral (Vth) para el transistor MOSFET utilizado?
-La tensión de puerta umbral (Vth) es de 2 volts.
¿Cuál es la relación de corriente de dren a corriente de puerta (μnCox) para el transistor MOSFET?
-La relación de corriente de dren a corriente de puerta (μnCox) es de 20 micro amperios por voltio cuadrado.
¿Cuál es el largo del canal del transistor MOSFET?
-El largo del canal del transistor MOSFET es de 10 micrómetros.
¿Cuál es el ancho del canal del transistor MOSFET?
-El ancho del canal del transistor MOSFET es de 400 micrómetros.
¿Qué significa el parámetro lambda en el contexto del transistor MOSFET?
-El parámetro lambda representa el efecto de la modulación de la longitud del canal en el transistor MOSFET, y en este caso específico, su valor es 0.
¿Cómo se determina si el transistor MOSFET está trabajando en la zona de saturación o en la zona del triodo?
-El transistor MOSFET está en la zona de saturación si Vds es mayor o igual a Vgs menos 2V, y en la zona del triodo si Vds es menor que Vgs menos 2V.
¿Cuál es la resistencia calculada para el dren a fuente (Rds) en el diseño del circuito?
-La resistencia calculada para el dren a fuente (Rds) es de 10 kilo ohms.
¿Cuál es el voltaje de fuente (Vbs) necesario para que el transistor MOSFET funcione correctamente según el diseño?
-El voltaje de fuente (Vbs) necesario es de -3 volts.
¿Cuál es la resistencia calculada para el segmento fuente a suelo (Rs) en el diseño del circuito?
-La resistencia calculada para el segmento fuente a suelo (Rs) es de 5 kilo ohms.