🔥Ejercicios resueltos de Transistores MOSFET en cd - ejercicio resuelto 1

Summary

Este vídeo presenta un diseño de circuito con un transistor MOSFET para operar a una corriente de 0.4 mA y un voltaje de 1 V. Se explica cómo calcular los valores de resistencia y voltaje desconocidos, identificando que el transistor funciona en la zona de saturación. Se resalta la importancia de la tensión de puerta y el efecto de modulación de la longitud del canal, proporcionando una guía paso a paso para entender y diseñar el circuito MOSFET.

Takeaways

• 😀 El vídeo trata sobre el diseño de un circuito con un transistor MOSFET.
• 🔬 Se especifica que el transistor debe operar con una corriente de 0.4 mA y un voltaje de dren de 1V.
• 📏 El transistor es de tipo NMOS, con una tensión umbral (Vth) de 2V.
• ⚖️ El parámetro 'μnCox' es de 20 microAmperes por voltio cuadrado, con un largo de canal de 10 micrómetros y un ancho de 400 micrómetros.
• 🛠️ Lambda (λ), que representa el efecto de modulación de la longitud del canal, es 0 para este transistor.
• 🔋 Se tiene un voltaje de fuente (Vdd) de 5V y un voltaje de compuerta (Vgs) de 0V, ya que está conectado a tierra.
• 🧮 Se calcula la resistencia de fuente (Rd) como 10 kiloohmios usando la ley de Ohm y los datos proporcionados.
• 🔍 Se determina que el transistor opera en la zona de saturación, ya que Vds es mayor o igual a Vgs - Vth.
• 🔢 Se resuelven dos posibles valores para Vgs, siendo el correcto el que permite la existencia de corriente de dren (0.4 mA).
• 🔌 Se calcula la resistencia de fuente (Rs) como 5 kiloohmios utilizando la corriente y el voltaje dados.

Q & A

¿Qué tipo de circuito se discute en el vídeo?

El vídeo trata sobre circuitos de corriente directa (DC) utilizando transistores MOSFET.

¿Cuál es la corriente deseada que debe manejar el transistor MOSFET en el diseño del circuito?

El transistor MOSFET debe manejar una corriente de 0.4 mA.

¿Cuál es el voltaje de dren (Vds) especificado para el transistor en el ejercicio?

El voltaje de dren (Vds) especificado es de 1 voltio.

¿Cuál es el valor de la tensión de puerta umbral (Vth) para el transistor MOSFET utilizado?

La tensión de puerta umbral (Vth) es de 2 volts.

¿Cuál es la relación de corriente de dren a corriente de puerta (μnCox) para el transistor MOSFET?

La relación de corriente de dren a corriente de puerta (μnCox) es de 20 micro amperios por voltio cuadrado.

¿Cuál es el largo del canal del transistor MOSFET?

El largo del canal del transistor MOSFET es de 10 micrómetros.

¿Cuál es el ancho del canal del transistor MOSFET?

El ancho del canal del transistor MOSFET es de 400 micrómetros.

¿Qué significa el parámetro lambda en el contexto del transistor MOSFET?

El parámetro lambda representa el efecto de la modulación de la longitud del canal en el transistor MOSFET, y en este caso específico, su valor es 0.

¿Cómo se determina si el transistor MOSFET está trabajando en la zona de saturación o en la zona del triodo?

El transistor MOSFET está en la zona de saturación si Vds es mayor o igual a Vgs menos 2V, y en la zona del triodo si Vds es menor que Vgs menos 2V.

¿Cuál es la resistencia calculada para el dren a fuente (Rds) en el diseño del circuito?

La resistencia calculada para el dren a fuente (Rds) es de 10 kilo ohms.

¿Cuál es el voltaje de fuente (Vbs) necesario para que el transistor MOSFET funcione correctamente según el diseño?

El voltaje de fuente (Vbs) necesario es de -3 volts.

¿Cuál es la resistencia calculada para el segmento fuente a suelo (Rs) en el diseño del circuito?

La resistencia calculada para el segmento fuente a suelo (Rs) es de 5 kilo ohms.