EL ASOMBROSO PROCESO DE FABRICAR UN MICROCHIP
Summary
TLDREl script detalla el avance de la electrónica moderna con el desarrollo de circuitos integrados, que son la base de la microelectrónica, las comunicaciones y los ordenadores. Se describe el proceso de fabricación de estos dispositivos a partir del crecimiento de cristales de silicio puro, su refinamiento y posterior transformación en láminas delgadas y uniformes. La importancia del control de impurezas y la adición de elementos como el arsénico o el boro para crear semiconductores se destaca. El video también explica el funcionamiento de transistores tipo n y p, y cómo se utilizan en la creación de circuitos electrónicos. Finalmente, se abarca la complejidad del diseño y la fabricación de chips, incluyendo técnicas como la fotolitografía, la implantación de iones y la deposición de materiales, culminando en la realización de circuitos altamente densos y eficientes.
Takeaways
- 📈 La electrónica moderna se ha desarrollado gracias a la integración de miles de transistores y otros componentes en láminas de silicio.
- 💾 Los circuitos integrados son fundamentales en las industrias de microelectrónica, comunicaciones y ordenadores.
- 🌐 El silicio, que constituye el 20% de la corteza terrestre, es el elemento básico utilizado en la fabricación de los circuitos integrados.
- 🔬 El crecimiento de cristales de silicio puro es un proceso meticuloso que implica la fusión y enfriamiento controlado del silicio.
- 🔋 El silicio en su estado puro es un semiconductor, lo que significa que su conductividad eléctrica puede ser controlada mediante la adición de impurezas.
- 🔩 Los transistores son los componentes básicos de los circuitos integrados, capaz de amplificar señales o representar información digital.
- 🔠 La información en las computadoras se representa mediante el código binario, compuesto por dígitos 0 y 1.
- 🛠️ La fabricación de circuitos integrados requiere de tecnología avanzada y un entorno controlado para minimizar la contaminación.
- 🛑 La limpieza de las obleas de silicio es un paso crítico en el proceso de fabricación, repetido a lo largo del proceso para garantizar la calidad.
- 📏 La precisión en la colocación y construcción de los componentes es esencial, utilizando técnicas como la fotolitografía para definir patrones.
- 🔵⚪ Los transistores de canal N y P son creados mediante la implantación de iones en el silicio, lo que define sus propiedades eléctricas.
- 🔋 Los electrodos y la conexión de los transistores se realizan mediante la deposición de materiales conductores como el aluminio.
Q & A
¿Qué es un circuito integrado y cuáles son sus aplicaciones principales?
-Un circuito integrado es una pequeña lámina de material cristalino que contiene miles de transistores y otros componentes electrónicos integrados. Sus aplicaciones principales son las industrias de microelectrónica, comunicaciones y ordenadores.
¿Cómo se produce el crecimiento de un cristal de silicio para los circuitos integrados?
-El crecimiento de un cristal de silicio comienza con la fusión de silicio purificado. Luego, un trozo de cristal, conocido como semilla, es colocado en una tina rotatoria de silicio fundido. Utilizando la estructura atómica cúbica de la semilla como pauta, se forma un nuevo cristal con una extensión simétrica de la semilla original.
¿Por qué el silicio es un elemento común y por qué es importante en la fabricación de circuitos integrados?
-El silicio es un elemento común que se encuentra en la arena y constituye el 20 por ciento de la corteza terrestre. Es importante en la fabricación de circuitos integrados debido a su estructura atómica y su capacidad para ser un buen semiconductor, lo que permite el control preciso de la conductividad eléctrica.
¿Cómo se logra la conductividad en el cristal de silicio y cómo se puede aumentar?
-El cristal de silicio a temperatura ambiente tiene energía térmica suficiente para liberar un pequeño número de electrones, lo que proporciona conductividad. Esta conductividad se puede aumentar añadiendo impurezas llamadas dopantes, que son elementos similares al silicio en estructura atómica y pueden ser de dos tipos: tipo N (como el arsénico o el fósforo) o tipo P (como el boro).
¿Cuáles son las dos formas principales de dopantes utilizados en la fabricación de semiconductores y cómo afectan el cristal de silicio?
-Las dos formas principales de dopantes son el dopante de tipo N, como el arsénico o el fósforo, que añaden un electrón de valencia más que el silicio, y el dopante de tipo P, como el boro, que tiene un electrón menos. Cuando se reemplazan algunos átomos de silicio por estos dopantes, el cristal se vuelve tipo N o tipo P, respectivamente, afectando la conductividad eléctrica.
¿Cómo se fabrican los transistores en los circuitos integrados y cuál es su función?
-Los transistores se fabrican en los circuitos integrados a través de un proceso que involucra la creación de regiones de tipo N y P en la oblea de silicio. Estos transistores se activan y desactivan millones de veces por segundo, amplificando las señales eléctricas de entrada o representando información en forma de dígitos 0 o 1, que son los estados básicos de la lógica utilizada en las comunicaciones electrónicas modernas.
¿Qué es la fotolitografía y cómo se utiliza en la fabricación de circuitos integrados?
-La fotolitografía es una técnica fotográfica que se utiliza para transferir una pauta a la oblea de silicio mediante el uso de fotosensibles. Se extiende un resistente fotosensible uniformemente sobre la oblea y luego se expone a la luz ultravioleta a través de una máscara. Esto permite aislar regiones microscópicas de la oblea y construir en ellas componentes del circuito electrónico.
¿Cómo se crean las regiones del canal en los transistores y cómo son importantes?
-Las regiones del canal en los transistores se crean a través de la implantación de iones, que pueden ser de tipo N o P dependiendo del substrato. Estas regiones son importantes porque definen las áreas donde se activará o desactivará el transistor, controlando así el flujo de electrones y la conductancia eléctrica.
¿Qué es el efecto de las máscaras en la fabricación de circuitos integrados y cuántas máscaras son comunes en el proceso?
-Las máscaras son placas de vidrio o similares que contienen las patrones para la fabricación de los circuitos integrados. Se utilizan para transferir estas patrones a la oblea de silicio a través de la fotolitografía. La mayoría de los circuitos integrados utilizan entre 8 y 15 máscaras según la complejidad del circuito y el tipo de proceso.
¿Por qué es crucial el control de la contaminación durante la fabricación de circuitos integrados?
-El control de la contaminación es extremadamente importante ya que la mayoría de la contaminación proviene del cuerpo humano y puede ser tan minúscula como unas pocas partículas de polvo. Estos contaminantes pueden drásticamente reducir el rendimiento de los dispositivos semiconductores, por lo que se realizan medidas para mantener el entorno de fabricación lo más limpio posible.
¿Cómo se realizan las pruebas eléctricas al final del proceso de fabricación de un circuito integrado?
-Después de que las obleas están libres de resistente y el proceso de fabricación se ha completado, se realizan pruebas eléctricas para verificar el correcto funcionamiento de los circuitos integrados. Estas pruebas garantizan que los dispositivos cumplen con los estándares de rendimiento y calidad antes del embalaje y la distribución al mercado.
¿Cuál es el propósito de las capas delgadas de dióxido de silicio en la fabricación de circuitos integrados?
-Las capas delgadas de dióxido de silicio sirven como un buen aislante que protege el substrato de silicio de reacciones no deseadas. Además, se utilizan para definir y electrically aislar las regiones específicas de la oblea donde se construirán los componentes del circuito electrónico.
Outlines
📚 Fundamentos de los circuitos integrados
Este párrafo introduce la importancia de los circuitos integrados en las industrias de microelectrónica, comunicaciones y ordenadores. Se describe cómo los miles de transistores y otros componentes electrónicos se integran en láminas de silicio, dando lugar a la base de la tecnología moderna. El silicio, elemento común en la arena y abundante en la corteza terrestre, es transformado en cristal puro y utilizado para crear estos dispositivos. La conductividad del silicio se controla mediante la adición de impurezas para crear semiconductores, que son esenciales para el funcionamiento de los circuitos integrados.
🤖 Funcionamiento de los transistores
Se profundiza en cómo operan los transistores, componentes clave en los circuitos integrados. Los transistores se activan y desactivan millones de veces por segundo, amplificando señales o representando información binaria (0 o 1). El párrafo explica el funcionamiento de los transistores de canal N y P, y cómo se complementan para permitir la conmutación de corrientes. La descripción incluye detalles sobre la creación de las regiones del emisor y colector, así como la aplicación de voltajes para controlar el flujo de electrones y portadores positivos.
🛠️ Proceso de fabricación de circuitos integrados
Este párrafo detalla el proceso de fabricación de un circuito integrado, que incluye la selección de la oblea de silicio, la creación de capas delgadas de dióxido de silicio, la introducción de átomos de impurezas y la deposición de materiales conductores y aislantes. Se menciona la importancia del control de la contaminación en el proceso, y cómo se utilizan técnicas como la fotolitografía para transferir diseños precisos a las obleas. Además, se describen los pasos para crear los electrodos y definir las regiones de los transistores.
🔬 Tecnologías de implantación y grabado
Se exploran las técnicas avanzadas utilizadas en la fabricación de circuitos integrados, incluyendo la implantación de iones para crear regiones de tipo n y p, y el grabado de plasma para definir las regiones del circuito con precisión. El párrafo cubre el uso de diferentes tipos de fotos resistentes, la creación de capas de dióxido de silicio como aislantes y el desarrollo de técnicas para evitar pérdidas eléctricas entre dispositivos. La descripción también incluye el proceso de eliminación de capas no deseadas y la preparación de la oblea para la siguiente fase de producción.
🔩 Conexión y protección de los circuitos integrados
El último párrafo se enfoca en la creación de los electrodos umbral y la conexión de los transistores mediante alambres de aluminio silicio. Se describe cómo se definen los contactos eléctricos y se establecen las conexiones para formar el circuito completo. Además, se menciona el uso de capas de vidrio para proteger las interconexiones y los pasos finales de limpieza y preparación para las pruebas eléctricas y el embalaje. El párrafo concluye con la mención de los puntos de contacto para la integración en los sistemas finales.
Mindmap
Keywords
💡Circuitos integrados
💡Silicio
💡Impurezas
💡Transistores
💡Fotolitografía
💡Implantación de iones
💡Polisilicio
💡Máscaras
💡Aluminio
💡Ambiente ultra limpio
💡Desarrollo de chips
Highlights
La electrónica moderna ha prosperado con la integración de miles de transistores y otros componentes en láminas de silicio.
Los circuitos integrados son fundamentales en las industrias de microelectrónica, comunicaciones y ordenadores.
Los ordenadores contienen hileras de circuitos integrados capaces de realizar millones de operaciones por segundo.
El crecimiento de cristales de silicio puro es el inicio del proceso para crear circuitos integrados.
El silicio es el segundo elemento más abundante en la corteza terrestre.
El silicio líquido se solidifica en contacto con una semilla, formando un cristal que se usará en circuitos integrados.
La estructura atómica del silicio permite la creación de semiconductores a través del control de impurezas.
Los semiconductores son materiales que pueden ser buenos o malos conductores de electricidad.
El proceso de fabricación de un único cristal de silicio tarda 20 horas y resulta en lingotes lisos y uniformes.
Las obleas de silicio se pulen y limpian para obtener una superficie libre de arañazos y contaminación.
Los ingenieros diseñan circuitos en las obleas que luego se transforman en transistores.
Los transistores son componentes electrónicos que amplifican o representan la información digital 0 o 1.
El transistor de canal N y P son dispositivos clave en la creación de circuitos integrados.
Los transistores se activan y desactivan millones de veces por segundo, controlando la corriente.
Los sistemas de diseño asistido por ordenador (EDA) son esenciales para crear los complejos circuitos integrados.
La fabricación de circuitos integrados requiere de un ambiente ultra limpio para evitar la contaminación.
La limpieza de las obleas es un proceso repetitivo que asegura la calidad del silicio.
La fotolitografía es una técnica fundamental para transferir diseños precisos en las obleas de silicio.
Las máscaras son herramientas clave que definen las regiones de los transistores en la oblea.
El aluminio se utiliza para crear conexiones eléctricas entre los transistores individuales.
El vidrio aislante protege y sella los circuitos integrados antes de las pruebas eléctricas y el embalaje.
Transcripts
la electrónica moderna prosperó cuando
miles de transistores y otros
componentes eléctricos fueron integrados
en pequeñas láminas de material
cristalino
hoy los circuitos integrados son la base
de las industrias de microelectrónica
comunicaciones y ordenadores
dentro de un ordenador hay hileras de
estos pequeños dispositivos cada uno
capaz de almacenar información o de
ejecutar en millones de operaciones por
segundo
los circuitos integrados han
evolucionado a partir de los voluminosos
tubos de vacío y los transistores y son
fabricados en centros tecnológicos como
silicon valley
todo empezó con el crecimiento de
cristales de silicio puro el silicio es
el elemento común que se encuentra en la
arena constituye el 20 por ciento de la
corteza terrestre y ocupa el segundo
lugar detrás del oxígeno en abundancia
el servicio procedente de la arena es
refinado purificado y calentado hasta el
estado de fusión
un pequeño trozo de simple cristal
llamado semilla es colocado suavemente
en una tina rotatoria de silicio fundido
utilizando la estructura atómica cúbica
de la semilla como pauta se formará un
nuevo cristal extensión simétrica de la
semilla original
el silicio y líquido caliente en
contacto con la semilla empieza a
enfriarse y solidificarse mientras es
extraído cuidadosamente de la región
fundida
la estructura atómica pública del
silicio está formada por átomos con 4
electrones en su caparazón exterior
en un cristal perfecto y a bajas
temperaturas cada átomo de silicio
enlaza con sus cuatro vecinos
no hay electrones libres para conducir
la corriente
a temperatura ambiente no obstante el
cristal de silicio tiene energía térmica
suficiente para liberar un pequeño
número de electrones
estos electrones libres conducen
corriente como los huecos donde han
estado los electrones esta conductividad
puede ser aumentada añadiendo impurezas
llamadas impure y picantes que son
elementos similares al silicio en
estructura atómica y los hay de dos
tipos lo simplifican test tipo n como el
arsénico o el fósforo que tienen un
electrón de valencia más que el silicio
y lo simplifican test tipo p como el
boro que tienen un números cuando
algunos átomos de silicio son
reemplazados por arsénico o fósforo el
cristal se llama tipo n debido a los
electrones adicionales o portadores
libres cargados negativamente si se usa
el boro el electrón perdido se comporta
de forma parecida a un portador positivo
el cristal se llama de tipo p estos
electrones libres y huecos circulan a
través del cristal conduciendo corriente
eléctrica en respuesta a campos
eléctricos aplicados
la capacidad del silicio te será mal o
buen conductor mediante el preciso
control de la concentración de impure y
fi cantes lo hace miembro de la clase de
materiales conocidos como
semiconductores
después de 20 horas de crecimiento un
único cristal resulta del líquido de
infusión en forma de lingotes lisos y
uniformes
que se cortan en obleas lo más delgadas
posible sin que sean demasiado frágiles
ni difíciles de manejar
con las obleas se realizan se pulen y se
limpia
el pulimento final se hace es solo en
uno de sus caras el característico
brillo de espejo está libre de arañazos
y contaminación
y las obleas son examinadas y medidas u
resistividad que es una función de
concentración de impunity cantes son
empaquetadas y enviadas a las áreas de
fabricación donde se convertirán en
circuitos integrados
mientras los ingenieros diseñan
cuidadosamente circuitos que serán
fabricados sobre la superficie de estas
obleas el diseño se convertirá en un
laberinto de conmutadores microscópicos
interconectados conocidos como
transistores estos transistores se
activan y desactivan millones de veces
por segundo y en el proceso o se
amplifique las señales eléctricas de
entrada o se representa esta información
con un dígito 0 o 1
estos dos estados componen el código
utilizado en las comunicaciones
electrónicas modernas son la lógica o
lenguaje que comprenden los ordenadores
para ver cómo funcionan los transistores
vamos a examinar un par de ellos tipo c
+ complementario metal óxido
semiconductor
el transistor de canal n tiene dos
regiones de tipo n ricas en electrones
fuertemente purificadas y separadas por
un substrato tipo p pobre en electrones
las regiones ricas en electrones
llamadas emisor y colector se convierten
en los finales de un conmutador
electrónico normalmente desconectado el
electrodo umbral está próximo pero
eléctricamente aislado de la región tipo
p la aplicación de un pequeño voltaje
positivo crea una carga positiva neta
sobre la compuerta esta carga repele a
los portadores cargados positivamente y
atrae a los electrones de las regiones
colector y emisión conectando el
conmutador
cuando el voltaje de la compuerta vuelve
a cero el transmisor está otra vez en
off
en un transistor el canal que
normalmente ojo las regiones tipo
pensamiento y purificados están
separadas por un substrato tipo n
ligeramente impure y fijado la
aplicación de un pequeño voltaje
negativo repele los electrones pero
atrae los portadores positivos y pone el
conmutador en orden
es posible fabricar transistores canal
n&p sobre la misma oblea implicando
secciones de esta ellos se conoce como
mos complementaria justo que un voltaje
umbral que pone un transistor canal p en
el pone un transistor el canal n en off
para ilustrar esta conmutación
complementaria una imagen muestra la
corriente subiendo por el transistor
canal p en la parte superior izquierda
una señal de voltaje que entra en el
electrodo umbral conecta el transistor
canal n complementario permitiendo
cargas a consumo a través del circuito
éste a su vez abre el conjunto de
transistores canal p inferiores de modo
que la corriente subía a través de ellos
en las señales eléctricas que
representan on y off o información o 0 y
1 se propagan a través de un laberinto
de conmutadores los sistemas de diseño
asistido por ordenador
seade se utilizan para crear estos
circuitos
una vez especificado la función global
del chip los ingenieros dividen el
conjunto en bloques de circuitos
fácilmente manejables después de que
cada bloque ha sido cuidadosamente
diseñado un ordenador verifica la
precisión del diseño y genera esquemas
maestros
estos dibujos son normalmente 400 o 500
veces mayores que el tamaño real del
chip lo que permite a los ingenieros
verificar visualmente los errores
entonces el ordenador produce una cinta
con el diseño final que ha sido dividido
en series de tramas esta cinta alimenta
una máquina ansiedad electrónico
controlada por ordenador
en un ambiente ultra limpio un rayo
electrónico fino grabará las tramas
sobre una serie de placas de vidrio
cromado
una vez grabadas las placas se
convierten en las máscaras que se usan
para transferir las tramas del circuito
a otra oblea
la secuencia siguiente demuestra cómo se
usa en las máscaras para fabricar en
transistores paso a paso primero se crea
un receptáculo de substrato implicado
para proporcionar los sustratos tipo n y
tipo p adyacentes en la misma oblea las
regiones de canal
n&p están especificadas y eléctricamente
aisladas por la dilatación de dióxido de
silicio aislante
a continuación se crean los electrodos
hombre al que ponen los transistores el
watch
las máscaras 4 y 5 definen las regiones
fuente y consumo de los transistores de
canal
n&p la sexta traza los huecos de
contacto que contendrán el cableado del
aluminio utilizado para interconectar
los transistores individuales la mayor
parte de los circuitos integrados pulsan
de 8 a 15 máscaras según la complejidad
del circuito y el tipo de proceso
ahora vamos a pasar al laboratorio para
seguir una versión simplificada de la
fabricación de un c2
este proceso dura unos 8 días trabajando
día y noche para obtener un buen
resultado del control de la
contaminación es extremadamente
importante
la mayor parte de la contaminación
proviene del cuerpo humano hasta en unas
pocas partículas microscópicas de polvo
para reducir drásticamente el
rendimiento de los dispositivos
semiconductores
6
para empezar la fabricación de los se
seleccionan la oblea es tipo p con una
resistencia específica
todos los tipos de circuitos integrados
incluidos los remos se fabrican usando
cuatro técnicas básicas
formación de capas delgadas de dióxido
de silicio introducción de átomos in
purificantes deposición de varios
materiales conductores y aislantes y
pautado de precisión de todos estos
materiales
empezamos sintiendo las obleas con
nacidos calientes ácido clorhídrico
ácido sulfúrico peróxido de hidrógeno
hidróxido de amonio
esto es lo que elimina todos los
contaminantes orgánicos y metálicos
este procedimiento de limpieza se repite
a lo largo del proceso para asegurarse
de que la superficie de las obleas
permanece absolutamente limpia
las obliga se enjuagan con agua de sión
izada y son centrifugar las en gas
nitrógeno filtrado
en un horno de oxidación de alta
temperatura se forma en la oblea una
capa de dióxido de silicio un buen
aislante que protege el substrato de
silicio que está debajo del de
reacciones no deseadas
en el horno caliente el oxígeno puro
reacciona con la superficie del silicio
formando una fina capa de dióxido de
silicio
este proceso es parecido a como el calor
del sol y el oxígeno del aire convierten
el brillante color de la pintura de un
coche nuevo en una capa deslustrada con
el paso de los años el dióxido de
silicio será grabado y usado como
exterior para implicar regiones
específicas de la oblea
pero primero la pauta para el starter sr
se aplica al dióxido de silicio por
medio de una técnica fotográfica llamada
fotolitografía la primera pauta de la
máscara será transferida a la oblea
usando fotos resistente un material
sensible a la luz
por medio de la cámara lenta podemos ver
el grueso foto resistente que es una
resina diluida en disolventes y
extendida de modo uniforme sobre la
superficie
cuando se endurece a bajas temperaturas
los disolventes se evaporan dejando una
fina capa de resistencia
esta máquina controlada por ordenador y
llamada a lanzador posiciona la oblea
bajo la pauta de máscara seleccionada
y la luz ultravioleta expone la pauta
por la superficie de la oblea
de este modo pueden hacerse muchos chips
de una sola oblea pero aumentando el
diámetro del cristal original pueden
cortarse obleas más grandes y obtener
más chips de cada una
entonces las obleas son desarrolladas
hay dos clases de fotos resistentes
negativos y positivos un resistente
negativo se endurece al ser expuesto a
la luz y permanece en la oblea al ser
desarrollada en este caso se usó un
resistente positivo al ser expuesto a la
luz el resistente cambia químicamente y
se disuelve
en ácido fluorhídrico las regiones de
bióxido de silicio ahora desprotegidas
por foto resistencia resultan grabadas
entonces el resistente endurecido es
eliminado con ácidos calientes dejando
una capa de dióxido de silicio estarcido
como aislante
la foto litografía se usará en cada una
de las ocho máscaras esta técnica
permite aislar regiones microscópicas de
la oblea y construir en ellas
componentes del circuito electrónico
en la implantación de millones y los
sillones y purificantes bombardearan las
obleas para crear solas tipo n
los sillones y purificantes son
separados de sus elementos y acelerados
a altas velocidades en un potente campo
eléctrico los iones son entonces
impulsados hacia las orejas
la profundidad de la implantación de
iones depende de la cantidad de energía
utilizada puesto que estas obras son de
pivote los iones de fósforo que son
importantes tipo n resulten implantados
la exposición de las obleas a altas
temperaturas difunden los iones
profundamente en el substrato de silicio
esto crea una cavidad de sustrato tipo n
donde será construido el transistor de
canal pero si las obleas fueran de tipo
m entonces debería implantarse oro para
crear huecos que se fueron migrado a una
nueva capa de dióxido de silicio más
fina
en un horno de residuos una delgada capa
de nitruro de silicio es depositado
sobre el dióxido de silicio la capa de
micro evita un crecimiento adicional de
la capa de dióxido de silicio y protege
la región donde se construirán los
transistores
el foto resistente es extendido otra vez
uniformemente sobre la oblea y pre
horneado en preparación de la segunda
máscara
utilizando un ordenador que de nuevo más
queréis perfectamente ajustado a la
pauta que ya está en la oblea
y la segunda más cara es también
expuesta en la superficie de la oblea
las obleas son desarrolladas para
retirar en la foto resistente expuesto y
después enjuagadas y horneadas
entonces la oblea se graba en seco
aquí los átomos libres de flúor
reaccionan con el nitruro expuesto en un
proceso llamado grabado de plasma
el grabado en seco deja agudas paredes
verticales estas fotografías de gran
ampliación muestran la precisión de las
regiones elevadas
después de haber sido retirado del photo
resistente con ácidos calientes las
obleas vuelven al horno de oxidación una
gruesa y aislante capa de dióxido de
silicio conocida como campo de óxido se
desarrollará donde el título ha sido
grabado
para obtener estas gruesas capas de
óxido se introduce en las obleas oxígeno
combinado con hidrógeno en forma de
vapor el aislamiento reduce los campos
eléctricos entre la superficie y las
regiones subyacentes al microscopio el
campo de óxido es como unos linderos
blancos que evitarán pérdidas entre los
dispositivos y permitirán a miles de
transistores coexistir en un área
pequeña
por eso los ordenadores modernos son tan
rápidos y la distancia que ha de
recorrer una señal no es grande
entonces la capa de nitrilo restante se
elimina por medio del grabado húmedo
las obleas son implantados con millones
de boro que penetran en el substrato de
silicio solo a través de la delegada
capa del óxido esto proporciona unas
características eléctricas uniformes
donde se construirán los transistores
formar los electrodos umbral es el
próximo paso se deposita sobre la oblea
una capa de polisilicio él pone silicio
está formado por muchos granos pequeños
de silicio que serán implicados con
fósforo para hacerlos más conductores
con foto litografía y la máscara número
3 en la capa de polisilicio será grabada
para crear los electrodos umbral que
ponen los transistores en tu voz
todos delgados alambres recorren los
circuitos conectando diferentes
transistores
según el proceso de polisilicio puede
ser grabado en seco o en húmedo
el foto resistente sobrante se elimina
con ácidos
ah
y la máscara número 4 permite la
implantación de regiones de canal n con
una alta concentración de impure y
picantes tipo n
la máscara número 5 exponen las regiones
entre el canal p que han sido
implantadas con una alta concentración
de boro un importante tipo pp esto
establece las regiones fuente y consumo
de cada tipo de transistor y una vez más
las obreras son limpiadas
a continuación se transfieren a un horno
de oxidación para desarrollar una
delgada capa de dióxido de silicio y
para recoger o reparar defectos
originados por la implantación de iones
en un horno algo más frío se coloca una
capa de vidrio aislante conocida como
óxido de baja temperatura
en la foto litografía y la máscara
número 6 definen los huecos a través de
los cuales se produce el contacto
eléctrico al grabar el plasma del
dióxido de silicio sin máscara se crean
los huecos de contacto a través del
microscopio estos huecos se ven como
pequeños puntos
sobre la oblea se deposita en una capa
de una aleación aluminio silicio que
proporciona conexiones eléctricas el
aluminio y en la cada web con el
contacto y cubre la oblea encerado
la máscara el número 7 establece el
conjunto de circuitos se retire el
exceso de aluminio por medio del grabado
en seco o húmedo esto deja tiras de
metal que llenan los contactos y se
extienden como alambres conectando el
conjunto del circuito
a bajas temperaturas se deposita una
capa final de vidrio para proteger las
frágiles interconexiones aluminio
silicio
en el último paso de fotolitografía solo
el vidrio de la parte superior de los
terminales es desechado
los terminales blancos de aluminio están
a lo largo de los bordes exteriores del
chip
hay puntos de contacto entre los
alambres exteriores y los circuitos
integrados
entonces las obleas son liberadas de
foto resistente y el recorrido se ha
completado finalmente están preparadas
para las pruebas eléctricas y el
embalaje
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