High speed and low power modulation with TFLN

Open Compute Project

23 Oct 202411:42

Summary

TLDRこのプレゼンテーションでは、AIインフラにおける高速光変調技術の進展と、サルファイドやインジウムリンなどの新材料の利点について説明しています。特に、448 Gbpsの高速伝送の必要性と、サルファイドの高いアナログ帯域幅（220 GHz）がもたらす信頼性、コスト削減、エネルギー効率の向上について強調しています。また、既存の製造プロセスを活用した高ボリューム生産が可能であり、将来的には1.6 Tbpsまでの拡張が見込まれるとしています。技術の実用化に向けた業界の協力も呼びかけています。

Takeaways

😀 高速変調技術はAIインフラストラクチャにおける光ネットワーキングの要である。
😀 448 Gbpsのスピード向上が求められ、コンポーネント数の削減や信頼性の向上に寄与する。
😀 シリコンフォトニクスはアナログ帯域幅の限界があり、高速アプリケーションには不十分である。
😀 リチウムニオバートは220 GHzのアナログ帯域幅を実現し、低い光挿入損失を持つ。
😀 リチウムニオバートの製造プロセスは、シリコンベースの技術と類似しており、スケーラビリティがある。
😀 完全に統合されたトランスミッターをチップ上に作成することで、複数のチャンネルをサポートできる。
😀 現在の技術は1.6テラビット毎秒をサポート可能であり、すでに高いパフォーマンスを示している。
😀 8x400 Gbpsや16x400 Gbpsの構成に拡張可能で、光ネットワーキングの限界を押し広げる。
😀 シンプルなアーキテクチャにより、レーザー数の削減や電力効率の向上が実現される。
😀 業界における新技術の採用が促されており、光ネットワーキングの進化に向けた協力が呼びかけられている。

Q & A

高速度変調技術の導入が求められる理由は何ですか？
-AIインフラストラクチャのバンド幅要求に応じるため、高速化が求められています。特に448Gbpsの速度が重要視されています。
448Gbpsに向けた光学ネットワーキングの利点は何ですか？
-448Gbpsの光学ネットワーキングにより、使用するコンポーネントの数が減少し、信頼性が向上し、コスト削減やエネルギー効率の改善が期待できます。
シリコンフォトニクスの現在の課題は何ですか？
-シリコンフォトニクスは、70GHz以上のアナログ帯域幅を達成することが難しく、挿入損失や駆動電圧の課題があります。
チンナリウムニオブ酸の利点は何ですか？
-チンナリウムニオブ酸は220GHzのアナログ帯域幅を達成可能で、低挿入損失と低駆動電圧を提供します。
チンナリウムニオブ酸の製造プロセスはどのように行われますか？
-チンナリウムニオブ酸の製造プロセスは、シリコンオンインシュレータ(SOI)技術に似ており、スケーラブルで信頼性の高い生産が可能です。
プレゼンテーションで示されたチップの性能について教えてください。
-800Gbps（4×200Gbps）のデータレートを持つチップが示され、将来的には1.6テラビット/秒の能力が期待されています。
業界に対する呼びかけは何でしたか？
-業界に対してチンナリウムニオブ酸技術の利点を認識し、既存プロジェクトへの統合を検討するよう呼びかけました。
Q&Aセッションでの重要な質問は何でしたか？
-Q&Aセッションでは、チンナリウムニオブ酸のウエハが商業的に利用可能であり、既存の製造技術を活用できることが強調されました。
チンナリウムニオブ酸技術の実用性はどう評価されていますか？
-チンナリウムニオブ酸技術は、実証済みの高いアナログ性能により、未来の光学通信のニーズに応えるものとして高く評価されています。
このプレゼンテーションの最も重要なメッセージは何ですか？
-新しい技術の導入には課題があるが、チンナリウムニオブ酸技術は光学ネットワーキングの進化に不可欠であるというメッセージが強調されました。