EL ASOMBROSO PROCESO DE FABRICAR UN MICROCHIP
Summary
TLDREl script detalla el avance de la electrónica moderna con el desarrollo de circuitos integrados, que son la base de la microelectrónica, las comunicaciones y los ordenadores. Se describe el proceso de fabricación de estos dispositivos a partir del crecimiento de cristales de silicio puro, su refinamiento y posterior transformación en láminas delgadas y uniformes. La importancia del control de impurezas y la adición de elementos como el arsénico o el boro para crear semiconductores se destaca. El video también explica el funcionamiento de transistores tipo n y p, y cómo se utilizan en la creación de circuitos electrónicos. Finalmente, se abarca la complejidad del diseño y la fabricación de chips, incluyendo técnicas como la fotolitografía, la implantación de iones y la deposición de materiales, culminando en la realización de circuitos altamente densos y eficientes.
Takeaways
- 📈 La electrónica moderna se ha desarrollado gracias a la integración de miles de transistores y otros componentes en láminas de silicio.
- 💾 Los circuitos integrados son fundamentales en las industrias de microelectrónica, comunicaciones y ordenadores.
- 🌐 El silicio, que constituye el 20% de la corteza terrestre, es el elemento básico utilizado en la fabricación de los circuitos integrados.
- 🔬 El crecimiento de cristales de silicio puro es un proceso meticuloso que implica la fusión y enfriamiento controlado del silicio.
- 🔋 El silicio en su estado puro es un semiconductor, lo que significa que su conductividad eléctrica puede ser controlada mediante la adición de impurezas.
- 🔩 Los transistores son los componentes básicos de los circuitos integrados, capaz de amplificar señales o representar información digital.
- 🔠 La información en las computadoras se representa mediante el código binario, compuesto por dígitos 0 y 1.
- 🛠️ La fabricación de circuitos integrados requiere de tecnología avanzada y un entorno controlado para minimizar la contaminación.
- 🛑 La limpieza de las obleas de silicio es un paso crítico en el proceso de fabricación, repetido a lo largo del proceso para garantizar la calidad.
- 📏 La precisión en la colocación y construcción de los componentes es esencial, utilizando técnicas como la fotolitografía para definir patrones.
- 🔵⚪ Los transistores de canal N y P son creados mediante la implantación de iones en el silicio, lo que define sus propiedades eléctricas.
- 🔋 Los electrodos y la conexión de los transistores se realizan mediante la deposición de materiales conductores como el aluminio.
Q & A
¿Qué es un circuito integrado y cuáles son sus aplicaciones principales?
-Un circuito integrado es una pequeña lámina de material cristalino que contiene miles de transistores y otros componentes electrónicos integrados. Sus aplicaciones principales son las industrias de microelectrónica, comunicaciones y ordenadores.
¿Cómo se produce el crecimiento de un cristal de silicio para los circuitos integrados?
-El crecimiento de un cristal de silicio comienza con la fusión de silicio purificado. Luego, un trozo de cristal, conocido como semilla, es colocado en una tina rotatoria de silicio fundido. Utilizando la estructura atómica cúbica de la semilla como pauta, se forma un nuevo cristal con una extensión simétrica de la semilla original.
¿Por qué el silicio es un elemento común y por qué es importante en la fabricación de circuitos integrados?
-El silicio es un elemento común que se encuentra en la arena y constituye el 20 por ciento de la corteza terrestre. Es importante en la fabricación de circuitos integrados debido a su estructura atómica y su capacidad para ser un buen semiconductor, lo que permite el control preciso de la conductividad eléctrica.
¿Cómo se logra la conductividad en el cristal de silicio y cómo se puede aumentar?
-El cristal de silicio a temperatura ambiente tiene energía térmica suficiente para liberar un pequeño número de electrones, lo que proporciona conductividad. Esta conductividad se puede aumentar añadiendo impurezas llamadas dopantes, que son elementos similares al silicio en estructura atómica y pueden ser de dos tipos: tipo N (como el arsénico o el fósforo) o tipo P (como el boro).
¿Cuáles son las dos formas principales de dopantes utilizados en la fabricación de semiconductores y cómo afectan el cristal de silicio?
-Las dos formas principales de dopantes son el dopante de tipo N, como el arsénico o el fósforo, que añaden un electrón de valencia más que el silicio, y el dopante de tipo P, como el boro, que tiene un electrón menos. Cuando se reemplazan algunos átomos de silicio por estos dopantes, el cristal se vuelve tipo N o tipo P, respectivamente, afectando la conductividad eléctrica.
¿Cómo se fabrican los transistores en los circuitos integrados y cuál es su función?
-Los transistores se fabrican en los circuitos integrados a través de un proceso que involucra la creación de regiones de tipo N y P en la oblea de silicio. Estos transistores se activan y desactivan millones de veces por segundo, amplificando las señales eléctricas de entrada o representando información en forma de dígitos 0 o 1, que son los estados básicos de la lógica utilizada en las comunicaciones electrónicas modernas.
¿Qué es la fotolitografía y cómo se utiliza en la fabricación de circuitos integrados?
-La fotolitografía es una técnica fotográfica que se utiliza para transferir una pauta a la oblea de silicio mediante el uso de fotosensibles. Se extiende un resistente fotosensible uniformemente sobre la oblea y luego se expone a la luz ultravioleta a través de una máscara. Esto permite aislar regiones microscópicas de la oblea y construir en ellas componentes del circuito electrónico.
¿Cómo se crean las regiones del canal en los transistores y cómo son importantes?
-Las regiones del canal en los transistores se crean a través de la implantación de iones, que pueden ser de tipo N o P dependiendo del substrato. Estas regiones son importantes porque definen las áreas donde se activará o desactivará el transistor, controlando así el flujo de electrones y la conductancia eléctrica.
¿Qué es el efecto de las máscaras en la fabricación de circuitos integrados y cuántas máscaras son comunes en el proceso?
-Las máscaras son placas de vidrio o similares que contienen las patrones para la fabricación de los circuitos integrados. Se utilizan para transferir estas patrones a la oblea de silicio a través de la fotolitografía. La mayoría de los circuitos integrados utilizan entre 8 y 15 máscaras según la complejidad del circuito y el tipo de proceso.
¿Por qué es crucial el control de la contaminación durante la fabricación de circuitos integrados?
-El control de la contaminación es extremadamente importante ya que la mayoría de la contaminación proviene del cuerpo humano y puede ser tan minúscula como unas pocas partículas de polvo. Estos contaminantes pueden drásticamente reducir el rendimiento de los dispositivos semiconductores, por lo que se realizan medidas para mantener el entorno de fabricación lo más limpio posible.
¿Cómo se realizan las pruebas eléctricas al final del proceso de fabricación de un circuito integrado?
-Después de que las obleas están libres de resistente y el proceso de fabricación se ha completado, se realizan pruebas eléctricas para verificar el correcto funcionamiento de los circuitos integrados. Estas pruebas garantizan que los dispositivos cumplen con los estándares de rendimiento y calidad antes del embalaje y la distribución al mercado.
¿Cuál es el propósito de las capas delgadas de dióxido de silicio en la fabricación de circuitos integrados?
-Las capas delgadas de dióxido de silicio sirven como un buen aislante que protege el substrato de silicio de reacciones no deseadas. Además, se utilizan para definir y electrically aislar las regiones específicas de la oblea donde se construirán los componentes del circuito electrónico.
Outlines
📚 Fundamentos de los circuitos integrados
Este párrafo introduce la importancia de los circuitos integrados en las industrias de microelectrónica, comunicaciones y ordenadores. Se describe cómo los miles de transistores y otros componentes electrónicos se integran en láminas de silicio, dando lugar a la base de la tecnología moderna. El silicio, elemento común en la arena y abundante en la corteza terrestre, es transformado en cristal puro y utilizado para crear estos dispositivos. La conductividad del silicio se controla mediante la adición de impurezas para crear semiconductores, que son esenciales para el funcionamiento de los circuitos integrados.
🤖 Funcionamiento de los transistores
Se profundiza en cómo operan los transistores, componentes clave en los circuitos integrados. Los transistores se activan y desactivan millones de veces por segundo, amplificando señales o representando información binaria (0 o 1). El párrafo explica el funcionamiento de los transistores de canal N y P, y cómo se complementan para permitir la conmutación de corrientes. La descripción incluye detalles sobre la creación de las regiones del emisor y colector, así como la aplicación de voltajes para controlar el flujo de electrones y portadores positivos.
🛠️ Proceso de fabricación de circuitos integrados
Este párrafo detalla el proceso de fabricación de un circuito integrado, que incluye la selección de la oblea de silicio, la creación de capas delgadas de dióxido de silicio, la introducción de átomos de impurezas y la deposición de materiales conductores y aislantes. Se menciona la importancia del control de la contaminación en el proceso, y cómo se utilizan técnicas como la fotolitografía para transferir diseños precisos a las obleas. Además, se describen los pasos para crear los electrodos y definir las regiones de los transistores.
🔬 Tecnologías de implantación y grabado
Se exploran las técnicas avanzadas utilizadas en la fabricación de circuitos integrados, incluyendo la implantación de iones para crear regiones de tipo n y p, y el grabado de plasma para definir las regiones del circuito con precisión. El párrafo cubre el uso de diferentes tipos de fotos resistentes, la creación de capas de dióxido de silicio como aislantes y el desarrollo de técnicas para evitar pérdidas eléctricas entre dispositivos. La descripción también incluye el proceso de eliminación de capas no deseadas y la preparación de la oblea para la siguiente fase de producción.
🔩 Conexión y protección de los circuitos integrados
El último párrafo se enfoca en la creación de los electrodos umbral y la conexión de los transistores mediante alambres de aluminio silicio. Se describe cómo se definen los contactos eléctricos y se establecen las conexiones para formar el circuito completo. Además, se menciona el uso de capas de vidrio para proteger las interconexiones y los pasos finales de limpieza y preparación para las pruebas eléctricas y el embalaje. El párrafo concluye con la mención de los puntos de contacto para la integración en los sistemas finales.
Mindmap
Keywords
💡Circuitos integrados
💡Silicio
💡Impurezas
💡Transistores
💡Fotolitografía
💡Implantación de iones
💡Polisilicio
💡Máscaras
💡Aluminio
💡Ambiente ultra limpio
💡Desarrollo de chips
Highlights
La electrónica moderna ha prosperado con la integración de miles de transistores y otros componentes en láminas de silicio.
Los circuitos integrados son fundamentales en las industrias de microelectrónica, comunicaciones y ordenadores.
Los ordenadores contienen hileras de circuitos integrados capaces de realizar millones de operaciones por segundo.
El crecimiento de cristales de silicio puro es el inicio del proceso para crear circuitos integrados.
El silicio es el segundo elemento más abundante en la corteza terrestre.
El silicio líquido se solidifica en contacto con una semilla, formando un cristal que se usará en circuitos integrados.
La estructura atómica del silicio permite la creación de semiconductores a través del control de impurezas.
Los semiconductores son materiales que pueden ser buenos o malos conductores de electricidad.
El proceso de fabricación de un único cristal de silicio tarda 20 horas y resulta en lingotes lisos y uniformes.
Las obleas de silicio se pulen y limpian para obtener una superficie libre de arañazos y contaminación.
Los ingenieros diseñan circuitos en las obleas que luego se transforman en transistores.
Los transistores son componentes electrónicos que amplifican o representan la información digital 0 o 1.
El transistor de canal N y P son dispositivos clave en la creación de circuitos integrados.
Los transistores se activan y desactivan millones de veces por segundo, controlando la corriente.
Los sistemas de diseño asistido por ordenador (EDA) son esenciales para crear los complejos circuitos integrados.
La fabricación de circuitos integrados requiere de un ambiente ultra limpio para evitar la contaminación.
La limpieza de las obleas es un proceso repetitivo que asegura la calidad del silicio.
La fotolitografía es una técnica fundamental para transferir diseños precisos en las obleas de silicio.
Las máscaras son herramientas clave que definen las regiones de los transistores en la oblea.
El aluminio se utiliza para crear conexiones eléctricas entre los transistores individuales.
El vidrio aislante protege y sella los circuitos integrados antes de las pruebas eléctricas y el embalaje.
Transcripts
00:00la electrónica moderna prosperó cuando
00:02miles de transistores y otros
00:03componentes eléctricos fueron integrados
00:06en pequeñas láminas de material
00:08cristalino
00:10hoy los circuitos integrados son la base
00:13de las industrias de microelectrónica
00:16comunicaciones y ordenadores
00:20dentro de un ordenador hay hileras de
00:22estos pequeños dispositivos cada uno
00:25capaz de almacenar información o de
00:27ejecutar en millones de operaciones por
00:29segundo
00:31los circuitos integrados han
00:34evolucionado a partir de los voluminosos
00:36tubos de vacío y los transistores y son
00:39fabricados en centros tecnológicos como
00:42silicon valley
00:45todo empezó con el crecimiento de
00:48cristales de silicio puro el silicio es
00:50el elemento común que se encuentra en la
00:52arena constituye el 20 por ciento de la
00:55corteza terrestre y ocupa el segundo
00:57lugar detrás del oxígeno en abundancia
01:03el servicio procedente de la arena es
01:05refinado purificado y calentado hasta el
01:08estado de fusión
01:11un pequeño trozo de simple cristal
01:13llamado semilla es colocado suavemente
01:16en una tina rotatoria de silicio fundido
01:25utilizando la estructura atómica cúbica
01:27de la semilla como pauta se formará un
01:29nuevo cristal extensión simétrica de la
01:32semilla original
01:36el silicio y líquido caliente en
01:39contacto con la semilla empieza a
01:40enfriarse y solidificarse mientras es
01:43extraído cuidadosamente de la región
01:45fundida
01:54la estructura atómica pública del
01:56silicio está formada por átomos con 4
01:59electrones en su caparazón exterior
02:03en un cristal perfecto y a bajas
02:05temperaturas cada átomo de silicio
02:07enlaza con sus cuatro vecinos
02:11no hay electrones libres para conducir
02:13la corriente
02:15a temperatura ambiente no obstante el
02:17cristal de silicio tiene energía térmica
02:20suficiente para liberar un pequeño
02:22número de electrones
02:26estos electrones libres conducen
02:28corriente como los huecos donde han
02:30estado los electrones esta conductividad
02:34puede ser aumentada añadiendo impurezas
02:36llamadas impure y picantes que son
02:38elementos similares al silicio en
02:40estructura atómica y los hay de dos
02:42tipos lo simplifican test tipo n como el
02:47arsénico o el fósforo que tienen un
02:48electrón de valencia más que el silicio
02:51y lo simplifican test tipo p como el
02:54boro que tienen un números cuando
02:56algunos átomos de silicio son
02:58reemplazados por arsénico o fósforo el
03:00cristal se llama tipo n debido a los
03:03electrones adicionales o portadores
03:05libres cargados negativamente si se usa
03:09el boro el electrón perdido se comporta
03:11de forma parecida a un portador positivo
03:14el cristal se llama de tipo p estos
03:18electrones libres y huecos circulan a
03:20través del cristal conduciendo corriente
03:22eléctrica en respuesta a campos
03:24eléctricos aplicados
03:28la capacidad del silicio te será mal o
03:31buen conductor mediante el preciso
03:33control de la concentración de impure y
03:35fi cantes lo hace miembro de la clase de
03:38materiales conocidos como
03:39semiconductores
03:46después de 20 horas de crecimiento un
03:48único cristal resulta del líquido de
03:51infusión en forma de lingotes lisos y
03:53uniformes
03:55que se cortan en obleas lo más delgadas
03:58posible sin que sean demasiado frágiles
04:01ni difíciles de manejar
04:14con las obleas se realizan se pulen y se
04:17limpia
04:20el pulimento final se hace es solo en
04:23uno de sus caras el característico
04:26brillo de espejo está libre de arañazos
04:29y contaminación
04:31y las obleas son examinadas y medidas u
04:35resistividad que es una función de
04:37concentración de impunity cantes son
04:40empaquetadas y enviadas a las áreas de
04:42fabricación donde se convertirán en
04:44circuitos integrados
04:49mientras los ingenieros diseñan
04:52cuidadosamente circuitos que serán
04:54fabricados sobre la superficie de estas
04:56obleas el diseño se convertirá en un
05:00laberinto de conmutadores microscópicos
05:03interconectados conocidos como
05:04transistores estos transistores se
05:08activan y desactivan millones de veces
05:10por segundo y en el proceso o se
05:13amplifique las señales eléctricas de
05:15entrada o se representa esta información
05:17con un dígito 0 o 1
05:22estos dos estados componen el código
05:24utilizado en las comunicaciones
05:25electrónicas modernas son la lógica o
05:28lenguaje que comprenden los ordenadores
05:32para ver cómo funcionan los transistores
05:34vamos a examinar un par de ellos tipo c
05:37+ complementario metal óxido
05:39semiconductor
05:43el transistor de canal n tiene dos
05:46regiones de tipo n ricas en electrones
05:49fuertemente purificadas y separadas por
05:51un substrato tipo p pobre en electrones
05:54las regiones ricas en electrones
05:57llamadas emisor y colector se convierten
05:59en los finales de un conmutador
06:00electrónico normalmente desconectado el
06:04electrodo umbral está próximo pero
06:07eléctricamente aislado de la región tipo
06:10p la aplicación de un pequeño voltaje
06:13positivo crea una carga positiva neta
06:15sobre la compuerta esta carga repele a
06:18los portadores cargados positivamente y
06:20atrae a los electrones de las regiones
06:22colector y emisión conectando el
06:24conmutador
06:26cuando el voltaje de la compuerta vuelve
06:28a cero el transmisor está otra vez en
06:31off
06:32en un transistor el canal que
06:34normalmente ojo las regiones tipo
06:37pensamiento y purificados están
06:39separadas por un substrato tipo n
06:41ligeramente impure y fijado la
06:44aplicación de un pequeño voltaje
06:46negativo repele los electrones pero
06:48atrae los portadores positivos y pone el
06:51conmutador en orden
06:54es posible fabricar transistores canal
06:57n&p sobre la misma oblea implicando
07:01secciones de esta ellos se conoce como
07:03mos complementaria justo que un voltaje
07:05umbral que pone un transistor canal p en
07:09el pone un transistor el canal n en off
07:12para ilustrar esta conmutación
07:15complementaria una imagen muestra la
07:17corriente subiendo por el transistor
07:19canal p en la parte superior izquierda
07:22una señal de voltaje que entra en el
07:25electrodo umbral conecta el transistor
07:27canal n complementario permitiendo
07:30cargas a consumo a través del circuito
07:32éste a su vez abre el conjunto de
07:35transistores canal p inferiores de modo
07:38que la corriente subía a través de ellos
07:41en las señales eléctricas que
07:43representan on y off o información o 0 y
07:471 se propagan a través de un laberinto
07:50de conmutadores los sistemas de diseño
07:53asistido por ordenador
07:54seade se utilizan para crear estos
07:58circuitos
08:05una vez especificado la función global
08:08del chip los ingenieros dividen el
08:10conjunto en bloques de circuitos
08:12fácilmente manejables después de que
08:16cada bloque ha sido cuidadosamente
08:17diseñado un ordenador verifica la
08:20precisión del diseño y genera esquemas
08:23maestros
08:26estos dibujos son normalmente 400 o 500
08:30veces mayores que el tamaño real del
08:32chip lo que permite a los ingenieros
08:34verificar visualmente los errores
08:37entonces el ordenador produce una cinta
08:40con el diseño final que ha sido dividido
08:42en series de tramas esta cinta alimenta
08:45una máquina ansiedad electrónico
08:47controlada por ordenador
08:50en un ambiente ultra limpio un rayo
08:53electrónico fino grabará las tramas
08:56sobre una serie de placas de vidrio
08:58cromado
09:10una vez grabadas las placas se
09:13convierten en las máscaras que se usan
09:15para transferir las tramas del circuito
09:17a otra oblea
09:26la secuencia siguiente demuestra cómo se
09:28usa en las máscaras para fabricar en
09:30transistores paso a paso primero se crea
09:34un receptáculo de substrato implicado
09:37para proporcionar los sustratos tipo n y
09:39tipo p adyacentes en la misma oblea las
09:42regiones de canal
09:43n&p están especificadas y eléctricamente
09:46aisladas por la dilatación de dióxido de
09:49silicio aislante
09:51a continuación se crean los electrodos
09:53hombre al que ponen los transistores el
09:55watch
09:56las máscaras 4 y 5 definen las regiones
09:59fuente y consumo de los transistores de
10:01canal
10:02n&p la sexta traza los huecos de
10:04contacto que contendrán el cableado del
10:06aluminio utilizado para interconectar
10:09los transistores individuales la mayor
10:12parte de los circuitos integrados pulsan
10:15de 8 a 15 máscaras según la complejidad
10:17del circuito y el tipo de proceso
10:25ahora vamos a pasar al laboratorio para
10:28seguir una versión simplificada de la
10:30fabricación de un c2
10:33este proceso dura unos 8 días trabajando
10:36día y noche para obtener un buen
10:38resultado del control de la
10:39contaminación es extremadamente
10:42importante
10:44la mayor parte de la contaminación
10:46proviene del cuerpo humano hasta en unas
10:49pocas partículas microscópicas de polvo
10:52para reducir drásticamente el
10:53rendimiento de los dispositivos
10:55semiconductores
11:106
11:12para empezar la fabricación de los se
11:16seleccionan la oblea es tipo p con una
11:18resistencia específica
11:24todos los tipos de circuitos integrados
11:27incluidos los remos se fabrican usando
11:31cuatro técnicas básicas
11:36formación de capas delgadas de dióxido
11:38de silicio introducción de átomos in
11:41purificantes deposición de varios
11:43materiales conductores y aislantes y
11:45pautado de precisión de todos estos
11:47materiales
11:52empezamos sintiendo las obleas con
11:55nacidos calientes ácido clorhídrico
11:57ácido sulfúrico peróxido de hidrógeno
12:00hidróxido de amonio
12:10esto es lo que elimina todos los
12:12contaminantes orgánicos y metálicos
12:20este procedimiento de limpieza se repite
12:23a lo largo del proceso para asegurarse
12:25de que la superficie de las obleas
12:27permanece absolutamente limpia
12:30las obliga se enjuagan con agua de sión
12:33izada y son centrifugar las en gas
12:35nitrógeno filtrado
12:39en un horno de oxidación de alta
12:41temperatura se forma en la oblea una
12:44capa de dióxido de silicio un buen
12:47aislante que protege el substrato de
12:49silicio que está debajo del de
12:51reacciones no deseadas
12:56en el horno caliente el oxígeno puro
12:58reacciona con la superficie del silicio
13:01formando una fina capa de dióxido de
13:03silicio
13:05este proceso es parecido a como el calor
13:08del sol y el oxígeno del aire convierten
13:10el brillante color de la pintura de un
13:12coche nuevo en una capa deslustrada con
13:15el paso de los años el dióxido de
13:18silicio será grabado y usado como
13:21exterior para implicar regiones
13:23específicas de la oblea
13:26pero primero la pauta para el starter sr
13:29se aplica al dióxido de silicio por
13:31medio de una técnica fotográfica llamada
13:34fotolitografía la primera pauta de la
13:38máscara será transferida a la oblea
13:40usando fotos resistente un material
13:43sensible a la luz
13:45por medio de la cámara lenta podemos ver
13:47el grueso foto resistente que es una
13:50resina diluida en disolventes y
13:53extendida de modo uniforme sobre la
13:55superficie
14:05cuando se endurece a bajas temperaturas
14:07los disolventes se evaporan dejando una
14:09fina capa de resistencia
14:21esta máquina controlada por ordenador y
14:24llamada a lanzador posiciona la oblea
14:27bajo la pauta de máscara seleccionada
14:37y la luz ultravioleta expone la pauta
14:39por la superficie de la oblea
14:42de este modo pueden hacerse muchos chips
14:45de una sola oblea pero aumentando el
14:48diámetro del cristal original pueden
14:51cortarse obleas más grandes y obtener
14:53más chips de cada una
14:58entonces las obleas son desarrolladas
15:03hay dos clases de fotos resistentes
15:05negativos y positivos un resistente
15:08negativo se endurece al ser expuesto a
15:11la luz y permanece en la oblea al ser
15:13desarrollada en este caso se usó un
15:15resistente positivo al ser expuesto a la
15:18luz el resistente cambia químicamente y
15:22se disuelve
15:23en ácido fluorhídrico las regiones de
15:26bióxido de silicio ahora desprotegidas
15:28por foto resistencia resultan grabadas
15:34entonces el resistente endurecido es
15:36eliminado con ácidos calientes dejando
15:38una capa de dióxido de silicio estarcido
15:41como aislante
15:44la foto litografía se usará en cada una
15:48de las ocho máscaras esta técnica
15:50permite aislar regiones microscópicas de
15:53la oblea y construir en ellas
15:55componentes del circuito electrónico
16:09en la implantación de millones y los
16:11sillones y purificantes bombardearan las
16:14obleas para crear solas tipo n
16:19los sillones y purificantes son
16:21separados de sus elementos y acelerados
16:24a altas velocidades en un potente campo
16:26eléctrico los iones son entonces
16:29impulsados hacia las orejas
16:42la profundidad de la implantación de
16:45iones depende de la cantidad de energía
16:47utilizada puesto que estas obras son de
16:50pivote los iones de fósforo que son
16:53importantes tipo n resulten implantados
16:56la exposición de las obleas a altas
16:59temperaturas difunden los iones
17:00profundamente en el substrato de silicio
17:03esto crea una cavidad de sustrato tipo n
17:06donde será construido el transistor de
17:09canal pero si las obleas fueran de tipo
17:11m entonces debería implantarse oro para
17:14crear huecos que se fueron migrado a una
17:17nueva capa de dióxido de silicio más
17:20fina
17:26en un horno de residuos una delgada capa
17:29de nitruro de silicio es depositado
17:33sobre el dióxido de silicio la capa de
17:35micro evita un crecimiento adicional de
17:38la capa de dióxido de silicio y protege
17:40la región donde se construirán los
17:42transistores
17:46el foto resistente es extendido otra vez
17:49uniformemente sobre la oblea y pre
17:52horneado en preparación de la segunda
17:54máscara
17:57utilizando un ordenador que de nuevo más
18:00queréis perfectamente ajustado a la
18:02pauta que ya está en la oblea
18:14y la segunda más cara es también
18:16expuesta en la superficie de la oblea
18:19las obleas son desarrolladas para
18:22retirar en la foto resistente expuesto y
18:24después enjuagadas y horneadas
18:30entonces la oblea se graba en seco
18:38aquí los átomos libres de flúor
18:41reaccionan con el nitruro expuesto en un
18:44proceso llamado grabado de plasma
18:47el grabado en seco deja agudas paredes
18:51verticales estas fotografías de gran
18:54ampliación muestran la precisión de las
18:56regiones elevadas
19:01después de haber sido retirado del photo
19:03resistente con ácidos calientes las
19:06obleas vuelven al horno de oxidación una
19:09gruesa y aislante capa de dióxido de
19:11silicio conocida como campo de óxido se
19:15desarrollará donde el título ha sido
19:17grabado
19:19para obtener estas gruesas capas de
19:21óxido se introduce en las obleas oxígeno
19:24combinado con hidrógeno en forma de
19:26vapor el aislamiento reduce los campos
19:29eléctricos entre la superficie y las
19:31regiones subyacentes al microscopio el
19:35campo de óxido es como unos linderos
19:38blancos que evitarán pérdidas entre los
19:41dispositivos y permitirán a miles de
19:43transistores coexistir en un área
19:46pequeña
19:47por eso los ordenadores modernos son tan
19:50rápidos y la distancia que ha de
19:53recorrer una señal no es grande
19:57entonces la capa de nitrilo restante se
20:00elimina por medio del grabado húmedo
20:04las obleas son implantados con millones
20:06de boro que penetran en el substrato de
20:09silicio solo a través de la delegada
20:11capa del óxido esto proporciona unas
20:14características eléctricas uniformes
20:16donde se construirán los transistores
20:18formar los electrodos umbral es el
20:21próximo paso se deposita sobre la oblea
20:24una capa de polisilicio él pone silicio
20:27está formado por muchos granos pequeños
20:29de silicio que serán implicados con
20:32fósforo para hacerlos más conductores
20:35con foto litografía y la máscara número
20:383 en la capa de polisilicio será grabada
20:41para crear los electrodos umbral que
20:43ponen los transistores en tu voz
20:47todos delgados alambres recorren los
20:49circuitos conectando diferentes
20:51transistores
20:59según el proceso de polisilicio puede
21:01ser grabado en seco o en húmedo
21:11el foto resistente sobrante se elimina
21:14con ácidos
21:20ah
21:22y la máscara número 4 permite la
21:25implantación de regiones de canal n con
21:27una alta concentración de impure y
21:29picantes tipo n
21:32la máscara número 5 exponen las regiones
21:35entre el canal p que han sido
21:37implantadas con una alta concentración
21:39de boro un importante tipo pp esto
21:43establece las regiones fuente y consumo
21:45de cada tipo de transistor y una vez más
21:47las obreras son limpiadas
21:54a continuación se transfieren a un horno
21:57de oxidación para desarrollar una
21:59delgada capa de dióxido de silicio y
22:02para recoger o reparar defectos
22:04originados por la implantación de iones
22:06en un horno algo más frío se coloca una
22:10capa de vidrio aislante conocida como
22:12óxido de baja temperatura
22:19en la foto litografía y la máscara
22:21número 6 definen los huecos a través de
22:24los cuales se produce el contacto
22:26eléctrico al grabar el plasma del
22:28dióxido de silicio sin máscara se crean
22:31los huecos de contacto a través del
22:33microscopio estos huecos se ven como
22:36pequeños puntos
22:43sobre la oblea se deposita en una capa
22:45de una aleación aluminio silicio que
22:48proporciona conexiones eléctricas el
22:51aluminio y en la cada web con el
22:53contacto y cubre la oblea encerado
23:02la máscara el número 7 establece el
23:05conjunto de circuitos se retire el
23:08exceso de aluminio por medio del grabado
23:10en seco o húmedo esto deja tiras de
23:13metal que llenan los contactos y se
23:16extienden como alambres conectando el
23:18conjunto del circuito
23:36a bajas temperaturas se deposita una
23:39capa final de vidrio para proteger las
23:42frágiles interconexiones aluminio
23:44silicio
23:49en el último paso de fotolitografía solo
23:52el vidrio de la parte superior de los
23:54terminales es desechado
24:03los terminales blancos de aluminio están
24:06a lo largo de los bordes exteriores del
24:08chip
24:11hay puntos de contacto entre los
24:13alambres exteriores y los circuitos
24:16integrados
24:29entonces las obleas son liberadas de
24:33foto resistente y el recorrido se ha
24:36completado finalmente están preparadas
24:40para las pruebas eléctricas y el
24:43embalaje
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